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TrenchT2 TM HiperFET TM
Power MOSFET
IXFH230N075T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 75V
= 230A
≤ 4.2m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-247
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
75
V
G
D
S
Tab
V DGR
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25 ° C (Chip Capability)
75
± 20
230
V
V
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
I LRMS
I DM
I A
E AS
P D
T J
T JM
T stg
T L
T sold
Weight
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
160
700
115
850
480
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
6
A
A
A
mJ
W
° C
° C
° C
° C
° C
g
Features
International Standard Package
175°C Operating Temperature
High Current Handling Capability
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on)
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Applications
Automotive
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- Motor Drives
- 12V Power Bus
- ABS Systems
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 1mA
75
2.0
4.0
V
V
DC/DC Converters and Off-Line UPS
Primary- Side Switch
High Current Switching Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 50A, Note 1
T J = 150 ° C
± 200 nA
25 μ A
250 μ A
4.2 m Ω
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100075A(03/10)
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